SI3973DV-T1-GE3

SI3973DV-T1-GE3
Mfr. #:
SI3973DV-T1-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
SI3973DV-T1-GE3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:
SI3973DV-T1-GE3 詳しくは
製品属性
属性値
メーカー:
ビシェイ
製品カテゴリ:
MOSFET
JBoss:
Y
テクノロジー:
Si
取り付けスタイル:
SMD / SMT
パッケージ/ケース:
TSOP-6
商標名:
TrenchFET
包装:
リール
高さ:
1.1 mm
長さ:
3.05 mm
シリーズ:
SI3
幅:
1.65 mm
ブランド:
Vishay / Siliconix
製品タイプ:
MOSFET
ファクトリーパックの数量:
3000
サブカテゴリ:
MOSFET
パーツ番号エイリアス:
SI3973DV-GE3
単位重量:
0.000705 oz
Tags
SI397, SI39, SI3
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Si3 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si3 MOSFETs are a TrenchFET® power MOSFETs operate in an enhancement mode. These Si3 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel with ultra-low RDS(ON) for high-efficiency. These MOSFETs are also available in different VGS and VDS ranges. The Si3 MOSFETs incorporate Si technology and operate at a temperature ranging from -55ºC to 150ºC. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
モデル メーカー 説明 ストック 価格
SI3973DV-T1-GE3
DISTI # 781-SI3973DV-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$0.3500
  • 6000:$0.3330
  • 9000:$0.3210
  • 24000:$0.3100
画像 モデル 説明
SI3973DV-T1-E3

Mfr.#: SI3973DV-T1-E3

OMO.#: OMO-SI3973DV-T1-E3

MOSFET 12V 2.7A 0.83W
SI3973DV-T1-GE3

Mfr.#: SI3973DV-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI3973DV-T1-GE3

MOSFET 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V
SI3973DV-T1-E3

Mfr.#: SI3973DV-T1-E3

OMO.#: OMO-SI3973DV-T1-E3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 2.7A 0.83W
SI3973DV-T1-GE3

Mfr.#: SI3973DV-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI3973DV-T1-GE3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V
SI3973DV

Mfr.#: SI3973DV

OMO.#: OMO-SI3973DV-1190

ブランドニューオリジナル
可用性
ストック:
Available
注文中:
4500
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