IRFH5220TR2PBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PQFN-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

3.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

99.9 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

20 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3.6 W

構成：

独身

包装：

リール

高さ：

0.83 mm

長さ：

6 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

フォワード相互コンダクタンス-最小：

16 S

立ち下がり時間：

3.4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4.7 ns

ファクトリーパックの数量：

400

サブカテゴリ：

MOSFET

パーツ番号エイリアス：

SP001572556

Tags

IRFH52, IRFH5, IRFH, IRF