FDP12N50NZ

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

11.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

460 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

23 nC

Pd-消費電力：

170 W

構成：

独身

商標名：

UniFET

包装：

チューブ

高さ：

16.3 mm

長さ：

10.67 mm

シリーズ：

FDP12N50NZ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.7 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

12 S

立ち下がり時間：

45 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

50 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.063493 oz

Tags

FDP12N50, FDP12N5, FDP12N, FDP12, FDP1, FDP