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| モデル | メーカー | 説明 | ストック | 価格 |
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| GT10J312(Q) DISTI # GT10J312(Q)-ND | Toshiba America Electronic Components | IGBT 600V 10A 60W TO220SM Min Qty: 50 Container: Tube | Limited Supply - Call | |
| GT10J312 | Toshiba America Electronic Components | Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel RoHS: Not Compliant | Europe - 100 |
| 画像 | モデル | 説明 |
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Mfr.#: GT10-1550TRK3-LMCELMYYP |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: GT10-RX-001 OMO.#: OMO-GT10-RX-001-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: GT100DA60U OMO.#: OMO-GT100DA60U-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: GT1040 OMO.#: OMO-GT1040-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: GT106M OMO.#: OMO-GT106M-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: GT108M-UQ4 OMO.#: OMO-GT108M-UQ4-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: GT10A-2022PCF OMO.#: OMO-GT10A-2022PCF-393 |
CONN PLUG CENTER TERMINAL CRIMP |
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Mfr.#: GT10J311 OMO.#: OMO-GT10J311-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: GT10J312 OMO.#: OMO-GT10J312-1190 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
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Mfr.#: GT10-16DP-DS(70) OMO.#: OMO-GT10-16DP-DS-70--1190 |
ブランドニューオリジナル |