STP17N62K3

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

620 V

Id-連続ドレイン電流：

15 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

380 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

94 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

190 W

構成：

独身

包装：

チューブ

シリーズ：

STP17N62K3

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

SuperMESH3 Power MOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1.6 S

立ち下がり時間：

63 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

26 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

91 ns

典型的なターンオン遅延時間：

25 ns

単位重量：

0.011640 oz

Tags

STP17N, STP17, STP1, STP