DMN61D8LVTQ-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSOT-26-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

630 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.1 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

740 pC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.09 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

高さ：

1 mm

長さ：

2.9 mm

シリーズ：

DMN61

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

1.6 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

80 mS

立ち下がり時間：

440 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

301 ns

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

582 ns

典型的なターンオン遅延時間：

131 ns

Tags

DMN61D8LV, DMN61D8, DMN61D, DMN61, DMN6, DMN