DMTH10H005LCT

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220AB-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

140 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

114 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

187 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

シリーズ：

DMTH10H005

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

53.1 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

26.9 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

83.6 ns

典型的なターンオン遅延時間：

25 ns

単位重量：

0.063493 oz

Tags

DMTH10H00, DMTH1, DMTH, DMT