A2T21S161W12SR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

1.5 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 500 mV, 65 V

利得：

19.1 dB

出力電力：

38 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-780S-2

包装：

リール

動作周波数：

2110 MHz to 2200 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

チャネル数：

1 Channel

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.4 V

パーツ番号エイリアス：

935363146128

Tags

A2T21S1, A2T21S, A2T21, A2T2, A2T