SGR6N60UFTF

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

DPAK-3

取り付けスタイル：

SMD / SMT

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

600 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2.1 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

25℃での連続コレクタ電流：

6 A

Pd-消費電力：

30 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

リール

連続コレクタ電流IcMax：

6 A

高さ：

2.3 mm

長さ：

6.6 mm

幅：

6.1 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

6 A

ゲートエミッタリーク電流：

+/- 100 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

IGBT

パーツ番号エイリアス：

SGR6N60UFTF_NL

単位重量：

0.012346 oz

Tags

SGR6N, SGR6, SGR