BSB008NE2LXXT

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

WDSON-2-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

25 V

Id-連続ドレイン電流：

180 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

600 uOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

343 nC

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

89 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

商標名：

OptiMOS

包装：

リール

高さ：

0.7 mm

長さ：

6.35 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5.05 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

120 S

立ち下がり時間：

32.4 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

47.2 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

75 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12.6 ns

パーツ番号エイリアス：

BSB008NE2LXXUMA1 SP000880866

Tags

BSB00, BSB0, BSB