APT45GP120B2DQ2G

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

T-Max-3

取り付けスタイル：

スルーホール

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1.2 kV

コレクター-エミッター飽和電圧：

3.3 V

最大ゲートエミッタ電圧：

30 V

25℃での連続コレクタ電流：

113 A

Pd-消費電力：

625 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

チューブ

連続コレクタ電流IcMax：

113 A

高さ：

5.31 mm

長さ：

21.46 mm

動作温度範囲：

- 55 C to + 150 C

幅：

16.26 mm

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

連続コレクタ電流：

113 A

ゲートエミッタリーク電流：

100 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

IGBT

商標名：

POWER MOS 7 IGBT

Tags

APT45GP, APT45G, APT45, APT4, APT