MRF6VP41KHSR7

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

110 V

利得：

20 dB

出力電力：

200 W

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-1230S-5

包装：

リール

構成：

デュアル

高さ：

5.08 mm

長さ：

32.38 mm

動作周波数：

500 MHz

シリーズ：

MRF6VP41KH

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

10.29 mm

ブランド：

NXP /フリースケール

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

25

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

単位重量：

0.299419 oz

Tags

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