NE3512S02-A

製品属性

属性値

メーカー：

CEL

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

HFET

テクノロジー：

GaAs

利得：

13.5 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 3 V

Id-連続ドレイン電流：

70 mA

最高作動温度：

+ 125 C

Pd-消費電力：

165 mW

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

S0-2

動作周波数：

12 GHz

製品：

RF JFET

タイプ：

GaAs HFET

ブランド：

CEL

フォワード相互コンダクタンス-最小：

55 mS

ゲート-ソースカットオフ電圧：

4 V

NF-雑音指数：

0.35 dB

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

NE3512, NE351, NE35, NE3