NE3515S02-T1D-A

製品属性

属性値

メーカー：

CEL

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

pHEMT

テクノロジー：

GaAs

利得：

12.5 dB

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 3 V

Id-連続ドレイン電流：

88 mA

最高作動温度：

+ 125 C

Pd-消費電力：

165 mW

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

S0-2

包装：

リール

動作周波数：

12 GHz

製品：

RF JFET

タイプ：

GaAs pHEMT

ブランド：

CEL

フォワード相互コンダクタンス-最小：

70 mS

NF-雑音指数：

0.3 dB

P1dB-圧縮ポイント：

14 dBm

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

NE3515, NE351, NE35, NE3