IRF6641TR1PBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DirectFET-MZ

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

4.6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

51 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4.9 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

34 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

89 W

構成：

独身

包装：

リール

高さ：

0.7 mm

長さ：

6.35 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5.05 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

フォワード相互コンダクタンス-最小：

13 S

立ち下がり時間：

6.5 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

11 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

パーツ番号エイリアス：

SP001563484

単位重量：

0.008713 oz

Tags

IRF6641, IRF664, IRF66, IRF6, IRF