PMXB360ENEAZ

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-1010D-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

80 V

Id-連続ドレイン電流：

1.1 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

345 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.7 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

3 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

400 mW

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

ブランド：

Nexperia

フォワード相互コンダクタンス-最小：

3.2 S

立ち下がり時間：

3 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3.5 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

9 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2 ns

単位重量：

0.000042 oz

Tags

PMXB36, PMXB3, PMXB, PMX