TSM4ND65CI RLG

製品属性

属性値

メーカー：

台湾積体電路

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.6 Ohms

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

構成：

独身

包装：

チューブ

シリーズ：

TSM

トランジスタタイプ：

シングルNチャネルパワーMOSFET

ブランド：

台湾積体電路

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

Tags

TSM4ND6, TSM4ND, TSM4N, TSM4, TSM