SQJ204EP-T1_GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerPAK-SO-8L-4

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Id-連続ドレイン電流：

20 A, 60 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3 mOhms, 8.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

20 nC, 50 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

27 W, 48 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

SQ

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

38 S, 66 S

立ち下がり時間：

5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns, 27 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

22 ns, 34 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns, 17 ns

Tags

SQJ20, SQJ2, SQJ