2SB1308T100Q

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

20 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

最大DCコレクタ電流：

3 A

ゲイン帯域幅積fT：

120 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SB1308

DC電流ゲインhFEMax：

120 at 500 mA, 2 V

高さ：

1.5 mm

長さ：

4.5 mm

包装：

リール

幅：

2.5 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 3 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

2000 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2SB1308T100Q, 2SB1308T, 2SB1308, 2SB130, 2SB13, 2SB1, 2SB