ZXMN10A08E6TA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-26-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

1.9 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

250 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

7.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.1 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.3 mm

長さ：

3.1 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

ZXMN10A

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

1.8 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

5 S

立ち下がり時間：

2.2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2.2 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

3.4 ns

単位重量：

0.000529 oz

Tags

ZXMN10A08E6T, ZXMN10A08E, ZXMN10A08, ZXMN10A0, ZXMN10A, ZXMN10, ZXMN1, ZXMN, ZXM