DMG6301UDW-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

25 V

Id-連続ドレイン電流：

240 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.8 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

850 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

360 pC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

370 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

PowerDI

包装：

リール

シリーズ：

DMG6301

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1 S

立ち下がり時間：

2.3 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1.8 ns

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

6.6 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2.9 ns

単位重量：

0.000212 oz

Tags

DMG63, DMG6, DMG