DMN2080UCB4-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

43 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

400 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

5 V

Qg-ゲートチャージ：

7.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.25 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

816 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

268 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

1245 ns

典型的なターンオン遅延時間：

152 ns

Tags

DMN20, DMN2, DMN