GA05JT03-46

製品属性

属性値

メーカー：

GeneSiC半導体

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-46-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

300 V

Id-連続ドレイン電流：

9 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

620 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

14.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 225 C

Pd-消費電力：

20 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

バルク

ブランド：

GeneSiC半導体

立ち下がり時間：

12.4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6.6 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13 ns

Tags

GA05J, GA05, GA0