CMPT930 TR TIN/LEAD

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

45 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

45 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1 V

ゲイン帯域幅積fT：

30 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

CMPT9

DC電流ゲインhFEMax：

300 at 10 uA, 5 V

包装：

リール

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

30 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

100 at 10 uA, 5 V

Pd-消費電力：

350 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

CMPT93, CMPT9, CMPT, CMP