FJD3305H1TM

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DPAK-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

400 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

700 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

9 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1 V

最大DCコレクタ電流：

4 A

ゲイン帯域幅積fT：

4 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

FJD3305H1

DC電流ゲインhFEMax：

28

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

19

Pd-消費電力：

1.1 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.009184 oz

Tags

FJD3, FJD