T1G2028536-FS

製品属性

属性値

メーカー：

カーボ

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN SiC

利得：

18 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

36 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

145 V

Id-連続ドレイン電流：

24 A

出力電力：

260 W

最大ドレインゲート電圧：

48 V

最高作動温度：

+ 250 C

Pd-消費電力：

288 W

取り付けスタイル：

SMD / SMT

包装：

トレイ

構成：

独身

動作周波数：

2 GHz

製品：

RFパワートランジスタ

シリーズ：

T1G

タイプ：

GaN SiC HEMT

ブランド：

カーボ

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

25

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

1110346

Tags

T1G2028536, T1G2, T1G