STGB30H60DFB

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

D2PAK-3

取り付けスタイル：

SMD / SMT

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

600 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.55 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

25℃での連続コレクタ電流：

60 A

Pd-消費電力：

260 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

シリーズ：

STGB30H60DFB

包装：

リール

連続コレクタ電流IcMax：

60 A

ブランド：

STMicroelectronics

ゲートエミッタリーク電流：

+/- 250 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

IGBT

Tags

STGB30H60, STGB30H, STGB30, STGB3, STGB, STG