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STGB10H60DF vs STGB10M65DF2 vs STGB10NB37LZ

 
PartNumberSTGB10H60DFSTGB10M65DF2STGB10NB37LZ
DescriptionIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speedIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low lossIGBT Transistors 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT
ManufacturerSTMicroelectronicsSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
Product CategoryIGBT TransistorsIGBT TransistorsIGBT Transistors
RoHSYYY
TechnologySiSiSi
Package / CaseD2PAK-D2PAK-3
Mounting StyleSMD/SMT-SMD/SMT
ConfigurationSingle-Single
Collector Emitter Voltage VCEO Max600 V-1.8 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V-1.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage20 V-16 V
Continuous Collector Current at 25 C20 A-20 A
Pd Power Dissipation115 W-125 W
Minimum Operating Temperature- 55 C-- 65 C
Maximum Operating Temperature+ 175 C-+ 150 C
SeriesSTGB10H60DFSTGB10M65DF2STGB10NB37LZ
PackagingReelReelTube
BrandSTMicroelectronicsSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
Gate Emitter Leakage Current250 nA-700 uA
Product TypeIGBT TransistorsIGBT TransistorsIGBT Transistors
Factory Pack Quantity1000100050
SubcategoryIGBTsIGBTsIGBTs
Unit Weight0.070548 oz-0.079014 oz
Continuous Collector Current Ic Max--20 A
Height--4.6 mm
Length--10.4 mm
Width--9.35 mm
Continuous Collector Current--20 A
メーカー モデル 説明 RFQ
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