NDT03N40ZT3G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

400 V

Id-連続ドレイン電流：

500 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.4 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.9 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

6.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1.2 S

立ち下がり時間：

5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7 ns

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

13 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns

単位重量：

0.003951 oz

Tags

NDT0, NDT