MMRF5017HS-1GHZ

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

GaN SiC

Id-連続ドレイン電流：

200 mA

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

125 V

出力電力：

125 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-400S-2

動作周波数：

30 MHz to 2200 MHz

シリーズ：

MMRF5017HS

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

チャネル数：

1 Channel

Pd-消費電力：

154 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 8 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 2.3 V

パーツ番号エイリアス：

935371361598

Tags

MMRF5017, MMRF50, MMRF5, MMRF, MMR