SIE850DF-T1-E3

Mfr. #:: SIE850DF-T1-E3
メーカー:: Vishay / Siliconix
説明:: RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: SIE850DF-T1-E3 データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:: SIE850DF-T1-E3 詳しくは

製品属性
属性値

メーカー: Vishay / Siliconix

製品カテゴリ: トランジスタ-FET、MOSFET-シングル

包装: リール

パーツエイリアス: SIE850DF-E3

取り付けスタイル: SMD / SMT

パッケージ-ケース: PolarPAK-10

テクノロジー: Si

チャネル数: 1 Channel

構成: 独身

トランジスタタイプ: 1 N-Channel

Pd-電力損失: 5.2 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 50 C

Vgs-Gate-Source-Voltage: 12 V

Id-連続-ドレイン-電流: 35 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 30 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 2.5 mOhms

トランジスタ-極性: Nチャネル

チャネルモード: 強化

Tags: SIE85, SIE8, SIE

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N-Channel PolarPAK® Power MOSFETs: Vishay Siliconix 20V to 75V PolarPAK® Power MOSFETs combine the thermal benefits of a double-sided cooling package with on-resistance down to as low as 1.4mΩ. The double-sided cooling provided by these Vishay Siliconix PolarPAK® Power MOSFETs gives designers a way to reduce system size and cost through better MOSFET thermal performance. These Vishay Siliconix PolarPAK® MOSFETs share the same footprint area as the standard SO-8 yet are twice as thin with a height profile of just 0.8 mm.

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
SIE850DF-T1-E3 DISTI # 781-SIE850DF-E3	Vishay Intertechnologies	MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V RoHS: Compliant	0	3000:$1.7500

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画像	モデル	説明
	Mfr.#: SIE850DF-T1-GE3 OMO.#: OMO-SIE850DF-T1-GE3	MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
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