C3M0120090J-TR

製品属性

属性値

メーカー：

Cree、Inc。

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-7

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

900 V

Id-連続ドレイン電流：

22 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

170 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.8 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

18 V, - 8 V

Qg-ゲートチャージ：

17.3 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

83 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

製品：

パワーMOSFET

タイプ：

炭化ケイ素MOSFET

ブランド：

Wolfspeed / Cree

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6.7 S

立ち下がり時間：

5 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

15 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12.5 ns

単位重量：

0.056438 oz

Tags

C3M01200, C3M01, C3M0, C3M