FJBE2150DTU

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

D2PAK-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

800 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

1.25 kV

エミッタ-ベース電圧VEBO：

12 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.25 V

最大DCコレクタ電流：

2 A

ゲイン帯域幅積fT：

5 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 125 C

シリーズ：

FJBE2150D

DC電流ゲインhFEMax：

35

包装：

チューブ

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

0.5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

20

Pd-消費電力：

110 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.066315 oz

Tags

FJB