CGHV96050F1

CGHV96050F1
Mfr. #:
CGHV96050F1
メーカー:
N/A
説明:
RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
CGHV96050F1 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:
CGHV96050F1 詳しくは
製品属性
属性値
メーカー:
カーボ
製品カテゴリ:
RFJFETトランジスタ
JBoss:
Y
トランジスタタイプ:
HEMT
テクノロジー:
GaN SiC
利得:
21.8 dB
トランジスタの極性:
Nチャネル
Id-連続ドレイン電流:
1.7 A
出力電力:
178 W
最大ドレインゲート電圧:
65 V
最低動作温度:
- 40 C
最高作動温度:
+ 85 C
Pd-消費電力:
67 W
取り付けスタイル:
SMD / SMT
パッケージ/ケース:
DFN-6
包装:
リール
応用:
軍用レーダー、妨害装置、テスト計装、広帯域または狭帯域増幅器、陸上移動および軍用
構成:
シングルトリプルドレイン
動作周波数:
1.2 GHz to 2.7 GHz
ブランド:
カーボ
開発キット:
QPD1013EVB01
感湿性:
はい
製品タイプ:
RFJFETトランジスタ
ファクトリーパックの数量:
100
サブカテゴリ:
トランジスタ
Tags
CGHV960, CGHV9, CGHV, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
FET RF 100V 9.6GHZ 440210
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
モデル メーカー 説明 ストック 価格
CGHV96050F1
DISTI # CGHV96050F1-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 40V 440210
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray
12In Stock
  • 1:$458.6800
CGHV96050F1-TB
DISTI # CGHV96050F1-TB-ND
WolfspeedBOARD TEST FIXTURE FOR CGHV96050
RoHS: Compliant
Min Qty: 2
Container: Bulk
Temporarily Out of Stock
  • 2:$550.0000
CGHV96050F1
DISTI # 941-CGHV96050F1
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
RoHS: Compliant
50
  • 1:$458.6800
CGHV96050F1-TB
DISTI # 941-CGHV96050F1-TB
Cree, Inc.RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
RoHS: Not compliant
1
  • 1:$550.0000
画像 モデル 説明
CGHV96100F2

Mfr.#: CGHV96100F2

OMO.#: OMO-CGHV96100F2

RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
CGHV96050F1

Mfr.#: CGHV96050F1

OMO.#: OMO-CGHV96050F1

RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
CGHV96050F1-TB

Mfr.#: CGHV96050F1-TB

OMO.#: OMO-CGHV96050F1-TB

RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
CGHV96100F2-TB

Mfr.#: CGHV96100F2-TB

OMO.#: OMO-CGHV96100F2-TB

RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
CGHV96050F1-TB

Mfr.#: CGHV96050F1-TB

OMO.#: OMO-CGHV96050F1-TB-WOLFSPEED

BOARD TEST FIXTURE FOR CGHV96050
CGHV96050F2-TB

Mfr.#: CGHV96050F2-TB

OMO.#: OMO-CGHV96050F2-TB-WOLFSPEED

TEST FIXTURE FOR CGHV96050F2
CGHV96100F2-TB

Mfr.#: CGHV96100F2-TB

OMO.#: OMO-CGHV96100F2-TB-WOLFSPEED

TEST FIXTURE FOR CGHV96100F2
CGHV96100F2

Mfr.#: CGHV96100F2

OMO.#: OMO-CGHV96100F2-WOLFSPEED

RF JFET Transistors 7.9-9.6GHz 100W GaN Gain 12.4dB 50OHM
CGHV96050F2

Mfr.#: CGHV96050F2

OMO.#: OMO-CGHV96050F2-WOLFSPEED

RF JFET Transistors 7.9-9.6GHz 50W GaN Gain 11.dB typ.
CGHV96050F1

Mfr.#: CGHV96050F1

OMO.#: OMO-CGHV96050F1-WOLFSPEED

RF JFET Transistors 7.9-9.6GHz 50W 50ohm Gain 15.6dB GaN HEMT
可用性
ストック:
50
注文中:
2033
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参考価格(USD)
単価
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$458.68
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皮切りに
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