STE180NE10

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ISOTOP-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

180 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

360 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

9.1 mm

長さ：

38.2 mm

シリーズ：

STE180NE10

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

25.5 mm

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

30 S

立ち下がり時間：

440 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

600 ns

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

430 ns

典型的なターンオン遅延時間：

100 ns

単位重量：

1 oz

Tags

STE180N, STE18, STE1, STE