DMN1019USN-13

Mfr. #:: DMN1019USN-13
メーカー:: Diodes Incorporated
説明:: MOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: DMN1019USN-13 データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー: 組み込まれたダイオード

製品カテゴリ: FET-シングル

シリーズ: DMN10

包装: Digi-ReelR代替パッケージ

単位重量: 0.000282 oz

取り付けスタイル: SMD / SMT

パッケージ-ケース: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

テクノロジー: Si

作動温度: -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ: 表面実装

チャネル数: 1 Channel

サプライヤー-デバイス-パッケージ: SC-59

構成: 独身

FETタイプ: MOSFET Nチャネル、金属酸化物

パワーマックス: 680mW

トランジスタタイプ: 1 N-Channel

Drain-to-Source-Voltage-Vdss: 12V

入力-静電容量-Ciss-Vds: 2426pF @ 10V

FET機能: 標準

Current-Continuous-Drain-Id-25°C: 9.3A (Ta)

Rds-On-Max-Id-Vgs: 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs-th-Max-Id: 800mV @ 250μA

ゲートチャージ-Qg-Vgs: 50.6nC @ 8V

Pd-電力損失: 1.2 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 55 C

立ち下がり時間: 16.8 ns

立ち上がり時間: 57.6 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: 8 V

Id-連続-ドレイン-電流: 9.3 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 12 V

Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage: 0.53 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 41 mOhms

トランジスタ-極性: Nチャネル

典型的なターンオフ遅延時間: 22.2 ns

典型的なターンオン遅延時間: 7.6 ns

Qg-Gate-Charge: 50.6 nC

チャネルモード: 強化

Tags: DMN1019US, DMN1019, DMN101, DMN10, DMN1, DMN

Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1:
Vacuum Packaging with PL

Step2:
Anti-Static Bag

Step3:
Packaging Boxes

DMN1019USN-13 説明

***ical: Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A Automotive 3-Pin SC-59 T/R

***et: Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

***i-Key: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

***ure Electronics: N-CH 12V 9.3A SC59

***ark: Mosfet, N-Ch, 12V, 9.3A, Sc-59; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:9.3A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(On):0.007Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:530Mv; Power Rohs Compliant: Yes

***ment14 APAC: MOSFET, N-CH, 12V, 9.3A, SC-59; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.3A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):0.007ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:530mV; Power Dissipation Pd:680mW; Transistor Case Style:SC-59; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)

***nell: MOSFET, N-CH, 12V, 9.3A, SC-59; Biegunowość tranzystora:Kanał N; Prąd ciągły Id drenu:9.3A; Napięcie drenu / źródła Vds:12V; Rezystancja przewodzenia Rds(on):0.007ohm; Napięcie Vgs pomiaru Rds(on):4.5V; Napięcie progowe Vgs:530mV; Straty mocy Pd:680mW; Rodzaj obudowy tranzystora:SC-59; Liczba pinów:3piny/-ów; Temperatura robocza, maks.:150°C; Asortyment produktów:-; Kwalifikacja motoryzacyjna:-; Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL:MSL 1 - nieograniczone; Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
DMN1019USN-13 DISTI # DMN1019USN-13DITR-ND	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 RoHS: Compliant Min Qty: 10000 Container: Tape & Reel (TR)	On Order	10000:$0.1168
DMN1019USN-13 DISTI # DMN1019USN-13DICT-ND	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT)	Temporarily Out of Stock	1000:$0.1493 500:$0.1991 100:$0.2903 10:$0.4230 1:$0.5400
DMN1019USN-13 DISTI # DMN1019USN-13DIDKR-ND	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel®	Temporarily Out of Stock	1000:$0.1493 500:$0.1991 100:$0.2903 10:$0.4230 1:$0.5400
DMN1019USN-13 DISTI # DMN1019USN-13	Diodes Incorporated	Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R - Tape and Reel (Alt: DMN1019USN-13) RoHS: Not Compliant Min Qty: 10000 Container: Reel	Americas - 0	10000:$0.0919 20000:$0.0869 40000:$0.0829 60000:$0.0789 100000:$0.0769
DMN1019USN-7 DISTI # 621-DMN1019USN-7	Diodes Incorporated	MOSFET 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC RoHS: Compliant	43527	1:$0.4300 10:$0.3250 100:$0.1760 1000:$0.1320 3000:$0.1140
DMN1019USN-13 DISTI # 621-DMN1019USN-13	Diodes Incorporated	MOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W RoHS: Compliant	0	10000:$0.1070

画像	モデル	説明
	Mfr.#: DMN1019UFDE-7 OMO.#: OMO-DMN1019UFDE-7	MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
	Mfr.#: DMN1017UCP3-7 OMO.#: OMO-DMN1017UCP3-7	MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
	Mfr.#: DMN1019UVT-7 OMO.#: OMO-DMN1019UVT-7	MOSFET 12V Enh Mode FET
	Mfr.#: DMN1019UVT-13 OMO.#: OMO-DMN1019UVT-13	MOSFET 12V Enh Mode FET
	Mfr.#: DMN1016UCB6-7 OMO.#: OMO-DMN1016UCB6-7	MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12Vdss 8Vgss 30A
	Mfr.#: DMN1019USN OMO.#: OMO-DMN1019USN-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: DMN1019USN-7-F OMO.#: OMO-DMN1019USN-7-F-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: DMN1016UCB6-7 OMO.#: OMO-DMN1016UCB6-7-DIODES	MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
	Mfr.#: DMN1019USN-7 OMO.#: OMO-DMN1019USN-7-DIODES	IGBT Transistors MOSFET 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC
	Mfr.#: DMN1019USN-13 OMO.#: OMO-DMN1019USN-13-DIODES	MOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W

DMN1019USN-13

Step1:Vacuum Packaging with PL

Step2:Anti-Static Bag

Step3:Packaging Boxes

Step1:
Vacuum Packaging with PL

Step2:
Anti-Static Bag

Step3:
Packaging Boxes