JAN2N4261UB/TR

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

LCC-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 15 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 15 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 4.5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.15 V

最大DCコレクタ電流：

- 30 mA

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

DC電流ゲインhFEMax：

150 at - 10 mA, - 1 V

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

20 at - 30 mA, - 1 V

Pd-消費電力：

200 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

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