NVD5802NT4G-TB01

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

101 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

75 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

93.75 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

NTD5802N

トランジスタタイプ：

1 N-Channel Power MOSFET

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

8.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

52 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

39 ns

典型的なターンオン遅延時間：

14 ns

Tags

NVD5802, NVD580, NVD58, NVD5, NVD