GTVA107001EC-V1-R250

製品属性

属性値

メーカー：

Cree、Inc。

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN SiC

利得：

18 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

150 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 10 V to 2 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

出力電力：

890 W

最大ドレインゲート電圧：

-

取り付けスタイル：

スクリューマウント

パッケージ/ケース：

H-36248-2

包装：

リール

動作周波数：

960 MHz to 1.215 GHz

ブランド：

Wolfspeed / Cree

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

トランジスタ

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 3 V

Tags

GTVA10, GTVA1, GTVA, GTV