FQE10N20CTU

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-126-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

360 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

12.8 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

11 mm

長さ：

8 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

3.25 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4.5 S

立ち下がり時間：

72 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

92 ns

ファクトリーパックの数量：

60

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

70 ns

典型的なターンオン遅延時間：

11 ns

パーツ番号エイリアス：

FQE10N20CTU_NL

単位重量：

0.014110 oz

Tags

FQE