BFR30LT1

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

N

トランジスタタイプ：

JFET

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

25 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

25 V

Id-連続ドレイン電流：

10 mA

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

包装：

リール

構成：

独身

製品：

RF JFET

タイプ：

JFET

ブランド：

オン・セミコンダクター

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000282 oz

Tags

BFR30, BFR3, BFR