MRFX1K80N-88MHZ

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

トランジスタの極性：

デュアルNチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

43 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 500 mV, 179 V

利得：

24.4 dB

出力電力：

1.8 kW

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

OM-1230-4

動作周波数：

1.8 MHz to 400 MHz

シリーズ：

MRFX1K80

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

44.7 S

チャネル数：

2 Channel

Pd-消費電力：

3333 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.1 V

パーツ番号エイリアス：

935369639598

Tags

MRFX1K80N, MRFX1, MRFX, MRF