IXTY2N100P-TRL

IXTY2N100P-TRL
Mfr. #:
IXTY2N100P-TRL
メーカー:
Littelfuse
説明:
Discrete Semiconductor Modules Polar Power MOSFET
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
IXTY2N100P-TRL データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー:
IXYS
製品カテゴリ:
ディスクリート半導体モジュール
JBoss:
Y
製品:
パワーMOSFETモジュール
タイプ:
ポーラー
Vgs-ゲート-ソース間電圧:
20 V
取り付けスタイル:
SMD / SMT
パッケージ/ケース:
TO-252-3
最低動作温度:
- 55 C
最高作動温度:
+ 150 C
包装:
リール
構成:
独身
ブランド:
IXYS
トランジスタの極性:
Nチャネル
立ち下がり時間:
27 ns
Id-連続ドレイン電流:
2 A
Pd-消費電力:
86 W
製品タイプ:
ディスクリート半導体モジュール
Rds On-ドレイン-ソース抵抗:
7.5 Ohms
立ち上がり時間:
29 ns
ファクトリーパックの数量:
2500
サブカテゴリ:
ディスクリート半導体モジュール
商標名:
ポーラー
典型的なターンオフ遅延時間:
80 ns
典型的なターンオン遅延時間:
25 ns
Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧:
1000 V
Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧:
2.5 V
Tags
IXTY2N, IXTY2, IXTY, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
画像 モデル 説明
IXTY2N100P-TRL

Mfr.#: IXTY2N100P-TRL

OMO.#: OMO-IXTY2N100P-TRL

Discrete Semiconductor Modules Polar Power MOSFET
IXTY2N100P

Mfr.#: IXTY2N100P

OMO.#: OMO-IXTY2N100P

MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds
IXTY2N100P

Mfr.#: IXTY2N100P

OMO.#: OMO-IXTY2N100P-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds
可用性
ストック:
Available
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