IXTQ3N150M

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

JBoss：

Y

製品：

パワーMOSFETモジュール

タイプ：

高電圧

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

OVERMOLDED-3

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

チューブ

構成：

独身

ブランド：

IXYS

トランジスタの極性：

Nチャネル

立ち下がり時間：

25 ns

Id-連続ドレイン電流：

1.83 A

Pd-消費電力：

73 W

製品タイプ：

ディスクリート半導体モジュール

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

7.3 Ohms

立ち上がり時間：

21 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

典型的なターンオフ遅延時間：

42 ns

典型的なターンオン遅延時間：

19 ns

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1500 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Tags

IXTQ3, IXTQ, IXT