CP191V-2N2222A-CT20

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

死ぬ

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

40 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

75 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1 V

最大DCコレクタ電流：

800 mA

ゲイン帯域幅積fT：

300 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

300

包装：

ワッフル

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

800 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

100

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

20

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

CP191, CP19, CP1