IPB029N06N3GE8187ATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

120 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.9 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

53 nC

Pd-消費電力：

188 W

構成：

独身

包装：

リール

高さ：

4.4 mm

長さ：

10 mm

シリーズ：

IPB029N06

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

9.25 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

パーツ番号エイリアス：

E8187 G IPB029N06N3 IPB29N6N3GE8187XT SP000939334

単位重量：

0.068654 oz

Tags

IPB029N06N3, IPB029, IPB02, IPB0, IPB