NUS3116MTR2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Id-連続ドレイン電流：

4.4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

32 mOhms

Pd-消費電力：

1.7 W

構成：

独身

包装：

リール

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.001319 oz

Tags

NUS3, NUS