PMDT290UCEH

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-666-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

800 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

380 mOhms, 850 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

0.5 V, - 1.3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

0.68 nC, 1.14 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1090 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

ブランド：

Nexperia

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1.6 S, 610 mS

立ち下がり時間：

31 ns, 72 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4 ns, 30 ns

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

86 ns, 80 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6 ns, 18 ns

Tags

PMDT290UCE, PMDT290UC, PMDT2, PMDT, PMD