MRF8S19260HSR5

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

18.2 dB

出力電力：

74 W

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-1230S-8

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

1.93 GHz to 1.99 GHz

シリーズ：

MRF8S19260H

ブランド：

NXP /フリースケール

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.8 V

単位重量：

0.465355 oz

Tags

MRF8S19260HS, MRF8S192, MRF8S19, MRF8S1, MRF8S, MRF8, MRF