JAN2N3737UB/TR

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

LCC-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

40 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

75 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.9 V

最大DCコレクタ電流：

1.5 A

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

DC電流ゲインhFEMax：

150 at 500 mA, 1 V

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

20 at 1 A, 1.5 V

Pd-消費電力：

1 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

JAN2N373, Jan2N37, Jan2N3, Jan2N, Jan2, JAN